Idei de bază și abordări tehnice privind protecția electrostatică
Descărcarea electrostatică poate provoca daune dispozitivului, însă prin adoptarea unor măsuri adecvate și adecvate de protecție a ESD și de control pentru stabilirea unui sistem ESD, ESD poate fi eliminat sau controlat pentru a reduce la minimum deteriorarea componentelor. Există două idei de bază pentru protecția electrostatică și controlul dispozitivelor sensibile:
1. (1) Împiedicați acumularea de energie electrică statică în locurile în care poate apărea împământarea și luați anumite măsuri pentru evitarea sau reducerea apariției descărcărilor electrostatice sau adoptați metoda "scurgerii în timp ce generați partea" pentru a elimina acumularea de sarcină electrică . Încărcarea este controlată în măsura în care nu dăunează.
1. (2) Acumulați încărcarea acumulată rapid și fiabil.
2.1 Metoda de control al procesului
Conceput să producă cât mai puțin posibilă încărcare statică în timpul procesului de producție. În acest scop, se iau măsuri privind aspectele legate de fluxul de proces, selecția materialului, instalarea echipamentului și gestionarea funcționării pentru a controla generarea și acumularea de electricitate statică și pentru a suprima potențialul electrostatic și capacitatea de descărcare electrostatică, astfel încât să nu depășească gradul de deteriora. Ca și în procesul de fabricare a semiconductorilor, rezistența apei deionizată pentru clătire trebuie controlată după finalizarea procesului de formare a joncțiunii superficiale a dispozitivului de mare viteză. Cu cât rezistența este mai mare, cu atât efectul de curățare este mai bun, dar cu cât rezistivitatea este mai mare, cu atât este mai mare electricitatea statică generată pe cip. Prin urmare, este în general controlată la un nivel ușor mai mare de 8 MΩ și nu poate fi 16-17 MΩ pentru procesul inițial. În plus, în alegerea materialelor, materialele de ambalare ar trebui să utilizeze materiale antistatice, să încerce să evite materialele polimerice netratate.
2.2 Metoda de scurgere
Acesta este conceput pentru a elimina electricitatea statică prin scurgere. De obicei, împământarea electrostatică este scurgerea electrică a pământului; există, de asemenea, o metodă de mărire a conductivității electrice a obiectului de a provoca scurgerea solului de-a lungul suprafeței sau în interiorul obiectului, cum ar fi adăugarea unui agent electrostatic sau creșterea umidității. Cea mai obișnuită este cureaua de mână antistatică purtată de personal și postul de împământare static.
2.3 Metoda de ecranare electrostatică
Conform principiului ecranării electrostatice, acesta poate fi împărțit în două tipuri: ecranare internă a câmpului și ecranare externă. Măsura specifică este de a izola corpul încărcat de alte obiecte cu un capac de ecran împământat, astfel încât câmpul electric al corpului încărcat să nu afecteze alte obiecte înconjurătoare (în interiorul ecranului); uneori, acoperirea ecranată este folosită pentru a înconjura obiectul izolat, astfel încât acesta să fie protejat de câmpurile electrice externe (ecran de protecție). De exemplu, un pachet de dispozitive GaAs utilizează o carcasă metalică sau un film metalic.
2.4 Metoda de neutralizare a compusului
Ea își propune să elimine sarcina statică prin neutralizare complexă. Utilizarea unui eliminator de împământare pentru a produce un complex cu un ion încărcat pe corpul încărcat pentru a obține neutralizarea. În general, atunci când corpul încărcat este un izolator, deoarece încărcarea electrică nu poate curge pe izolator, metoda de împământare nu poate fi utilizată pentru a scurge încărcarea electrică. În acest caz, trebuie folosit un eliminator antistatic pentru a genera ionul disimilar de neutralizare. Această metodă este utilizată pentru a elimina sarcina electrostatică generată pe banda transportoare.
2.5 Măsuri curate
Conceput pentru evitarea descărcărilor intermitente. În acest scop, suprafața corpului încărcat și a obiectelor înconjurătoare trebuie să fie cât mai netedă și mai curată posibil pentru a reduce posibilitatea descărcării intermitente.