Scăderea tensiunii electrostatice pe linii de producție pentru semiconductoare și IC
1. Tensiune electrostatică pe linii de producție semiconductoare și IC
1 îmbrăcăminte de nylon purtător, pantofi de bază din plastic se deplasează încet pe podea curată, corpul uman va aduce tensiune de 7KV-8KV
2 Când suportul de cristal din fibră de sticlă este alunecat peste masa de polipropilenă, este ușor să se genereze electricitate statică de 10 KV.
3 linii de asamblare a waferului: placă de vată 5KV, cutie de încărcare de vată 35KV, îmbrăcăminte de lucru 10KV, desktop 10KV, acoperire din plexiglas 8KV, cristal de cuarț 1.5KV, tavă de napolitană 6KV
4 podea de plastic litografie 500V-1000V, podea de rețea metalică este, de asemenea, 500V-1000V, camera de difuzie pardoseala din plastic 500V-1500V pardoseala este de asemenea 500V-1500V, suprafața de perete din plastic este de aproximativ 700V, tavan din plastic 0-1000V, spate Air outlet 500V-1000V, suprafață scaun din piele mobil metalic 500V-3000V
2. Pericole electrostatice la linii de producție semiconductoare și IC
1 Pericol de forță electrostatică Coulomb: Praful și murdăria adsorbită de forța Coulomb electrostatic pot aduce componente care pot provoca scurgeri sau scurtcircuit, ceea ce poate afecta performanța și poate reduce foarte mult randamentul. Dacă dimensiunea particulelor prafului este> 100 μm, lățimea firului de aluminiu este de aproximativ 100 μm, iar grosimea filmului este mai mică de 50 μm, produsul este cel mai probabil să fie scos din uz. Acest lucru se întâmplă mai ales în procesele de curățare prin coroziune, fotolitografie, sudură și ambalare.
2 Pericol cauzat de descărcarea electrostatică: Dacă există mii de zeci de mii de volți de obiecte de mare potențial, descărcări în formă de puls sau descărcare cu scânteie, atunci când există un curent de descărcare foarte mare care curge pe pământ, este format la 20 ° C. , cauzând un impact considerabil, descărcarea electrostatică (ESD) este însoțită și de emisia de unde electromagnetice, ceea ce va provoca diverse pericole.
A, MOSIC și alte dispozitive semiconductoare vor fi defalcate electrostatic (ESD) sau defalcate pe jumătate. Poarta tranzistorului cu efect de câmp MOS este scos din filmul de oxid, iar o peliculă de oxid este interpusă între poarta și substrat. Când tensiunea dintre poartă și substrat depășește o anumită valoare, filmul de oxid este defalcat, dacă MOSIC, atunci toate sunt dezmembrate. Când tensiunea este aplicată la UB = 50-100V, filmul de oxid va fi defalcat, deoarece capacitatea porții este foarte mică (aproximativ câteva picofarade), iar rezistența de intrare este foarte mare (aproximativ 1014Ω sau mai mult). O cantitate mică de încărcare va genera o tensiune foarte ridicată, iar încărcarea va fi dificilă de a se scufunda. Atâta timp cât este mai mare de 50V (fără protecție), se va arde. Prin urmare, atâta timp cât persoana atinge grila, componenta va fi ruptă, deoarece este obișnuit ca oamenii să perceapă mai mult de 50V. .
Putem înțelege sensibilitatea circuitelor integrate la electricitatea statică. Diferența dintre diferitele cipuri este că pot rezista la diferite valori de tensiune statică. În condiții practice, o tensiune statică de aproape 20 V intră în contact direct cu dispozitivul pentru a distruge sau a degrada performanța.
Compensarea electrostatică dăunează componentelor pentru a face inutil întreaga placă de circuite imprimate, ducând la pierderi economice;
Zgomotul descărcării electrostatice provoacă disfuncționalitatea sau funcționarea defectuoasă a echipamentului și descărcarea indirectă. Rezultatul măsurării descărcării condensatorului, pe lângă generarea unui puls mare de curent tranzitoriu, produce, de asemenea, zgomot puternic în mai multe megahertzi sau chiar sute de hertzi. În ultimii ani, cercetarea de bază privind funcționarea defectuoasă a computerului cauzată de zgomotul prin descărcare electrostatică a înregistrat progrese importante.
Când undele electromagnetice generate în timpul descărcării intră în receptor, se generează zgomot, care interferează cu semnalul pentru a reduce calitatea informațiilor sau a cauza erori de informații.
3, pericolul inducției electrostatice
Obiectul indus de electricitatea statică este complet echivalent cu cel încărcat și există fenomene electrostatice și fenomene de descărcare. Dacă rezistența obiectului de detectare este un conductor mic bun, se va produce descărcarea cu scânteie și se vor produce răni.
A. În atelierul de producție.
În apropierea echipamentelor și liniilor de înaltă tensiune, atunci când personalul efectuează sudarea, dispozitivele MOS sau MOSSI, datorită inducției electrostatice, este ușor să provoace descărcarea electrostatică a corpului uman în dispozitiv, dăunând astfel dispozitivului.
B. Fluxul de aer de aer condiționat (fluxul de ioni) transportat de conductă este echivalent cu încărcarea atunci când corpul uman suflă. Când corpul uman este în contact cu componente sensibile, descărcarea electrostatică va sparge dispozitivul deteriorat.
4. Pericole electrostatică la procesul de producție al echipamentelor electronice
Toate aspectele legate de producția mașinii vor suferi pagube electrostatice. Legăturile principale includ: achiziționarea și transportul dispozitivelor; inspecția și acceptarea dispozitivelor în fabrică; depozitarea și sortarea dispozitivelor; introducerea și lipirea dispozitivului; asamblarea și inspecția produselor; ambalarea și livrarea produselor.
În plus față de distrugerea electricității statice în timpul producției de componente electronice și de echipamente electronice, aceasta este supusă și electricității statice în timpul utilizării produsului. În concluzie, daunele cauzate de electricitatea statică sunt suficiente pentru a face ca performanțele dispozitivelor electronice și dispozitivelor electronice să nu fie în acord, iar deteriorarea dispozitivelor și dispozitivelor electronice nu poate fi ignorată.